SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不60V，高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復(fù)時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點(diǎn)。近幾年，SBD已取得了突破性的進(jìn)展，150V和200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。
肖特基二極體大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實(shí)務(wù)設(shè)計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實(shí)際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術(shù)也已有了進(jìn)步，其反向偏壓的額定值大可以到200V。
同普通硅二極管一樣，肖特基二極管也是具有單向?qū)щ娞匦缘墓瓒O管。不同的是，普通二極管的工作是利用半導(dǎo)體PN 結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕ぬ鼗O管則是利用金屬和半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生的勢壘而起到單向?qū)щ娮饔?，它是以多?shù)載流子工作的整流器件，因而在開關(guān)時沒有少數(shù)載流子的存儲電荷和移動效應(yīng)。所以，肖特基二極管的開關(guān)速度非?？?，反向恢復(fù)時間trr很短 (小于幾十ns)；同時，其正向壓降V F 較小，尤其適用于高速開關(guān)電路和低壓大電流輸出電路，具有較高的整流效率和可靠性。但肖特基二極管也有兩個缺點(diǎn)，一是反向耐壓V R 較低，一般只有 100V 左右；二是反向漏電流IR 較大。
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