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東莞SBM60L60FCTLOWVF肖特基二極管

更新時(shí)間1：2025-09-04 信息編號(hào)：b642a8kebf598a 舉報(bào)維權(quán)

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關(guān)鍵詞	LOWVF肖特基二極管
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葉友慶

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2年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不60V，高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級(jí)用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復(fù)時(shí)間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開(kāi)關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢(shì)。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點(diǎn)。近幾年，SBD已取得了突破性的進(jìn)展，150V和200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過(guò)1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。

肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒(méi)有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。

肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問(wèn)世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。

同普通硅二極管一樣，肖特基二極管也是具有單向?qū)щ娞匦缘墓瓒O管。不同的是，普通二極管的工作是利用半導(dǎo)體PN 結(jié)的單向?qū)щ娞匦?，而肖特基二極管則是利用金屬和半導(dǎo)體接觸產(chǎn)生的勢(shì)壘而起到單向?qū)щ娮饔茫且远鄶?shù)載流子工作的整流器件，因而在開(kāi)關(guān)時(shí)沒(méi)有少數(shù)載流子的存儲(chǔ)電荷和移動(dòng)效應(yīng)。所以，肖特基二極管的開(kāi)關(guān)速度非?？欤聪蚧謴?fù)時(shí)間trr很短 (小于幾十ns)；同時(shí)，其正向壓降V F 較小，尤其適用于高速開(kāi)關(guān)電路和低壓大電流輸出電路，具有較高的整流效率和可靠性。但肖特基二極管也有兩個(gè)缺點(diǎn)，一是反向耐壓V R 較低，一般只有 100V 左右；二是反向漏電流IR 較大。

肖特基二極管是由PN結(jié)和金屬接觸界面組成的特殊二極管，具有以下特點(diǎn)：

正向電壓下具有極低的正向壓降（僅為0.2V左右），因此具有快速開(kāi)關(guān)特性，被廣泛應(yīng)用于高頻電路中。
反向電流大，但有穩(wěn)定的溫度特性和阻擋電容特性，適用于穩(wěn)壓、限流以及檢測(cè)等領(lǐng)域。
耐輻射能力強(qiáng)，是航空航天領(lǐng)域常用器件之一。
LOW VF肖特基二極管在微波通信電路中用作整流二極管和小信號(hào)檢測(cè)二極管。它常用于通信電源、變頻器等。一個(gè)典型的應(yīng)用是，在雙極晶體管BJT的開(kāi)關(guān)電路中，LOW VF肖特基二極管連接到BJT箝位電路，使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)實(shí)際上處于非常關(guān)斷的狀態(tài)，從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。該方法適用于典型數(shù)字集成電路的TTL內(nèi)部電路，如74LS、74ALS和74AS。