手機待機電流

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  • 新款三防電霸三卡三待電信4g3卡黑莓屏全網(wǎng)通4G16800毫安超長待機
    800.00元
    新款三防電霸三卡三待 電信4g 3卡 黑莓屏 全網(wǎng)通4G 16800毫安 超長待機 4G 手機 待機1年 ： ： 10臺起批： 價格（元）：800 1：全網(wǎng)通用。支持移動、聯(lián)通、電信卡三卡三待 2：超..
    03月12日
  • 3.5寸大屏直板軍工三防核動力待機王超長待機手寫王18000毫安老人手機電視老年手機
    500.00元
    3.5寸大屏直板軍工三防核動力 待機王超長待機 手寫王 18000毫安 老人手機電視老年手機 ： ： 100臺起批： 價格（元）：500 帶微信帶電視帶觸摸最任性超長待機手機， 18000毫安 超 大電..
    03月12日
  • MGF4964BL-01微X型封裝K波段放大器待機電流
    面議
    MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設(shè)計用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數(shù)。=0.65 分貝(典型值) f=20GHz 時的高相關(guān)增益 Gs =13.5dB..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型封裝低噪聲系數(shù)待機電流
    面議
    MGF4964BL-01特征： f=20GHz 時的高相關(guān)增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01質(zhì)量等級：GG MGF4964BL-01偏置條件： VDS=2V，內(nèi)徑=10mAMGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 時的低..
    09月18日
  • Ampleon代理商LDMOS晶體管待機電流
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ? 功率LDMOS晶體管 Ampleon BLC10G19XS-551AVZ?550w LDMOS封裝的不對稱Doherty功率晶體管，用于頻率從1930 MHz到2000 MHz的基站應(yīng)用。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(am..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型封裝c至K波段待機電流
    面議
    ：MGF4964BL-01： 1、設(shè)計用于K波段放大器； 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設(shè)計用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 時的低噪..
    09月18日
  • Ampleon代理商晶體管待機電流
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型封裝低噪聲放大器待機電流
    面議
    MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設(shè)計用于K波段放大器。。。低噪聲 主要用于無線通信系統(tǒng)（如無線電、移動通信、衛(wèi)星通信等），其中接收機需要將微弱的無線信號放大到足..
    09月18日
  • Ampleon代理商射頻功放待機電流
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非對稱Doherty演示電路在Tcase= 25°C時的典型射頻性能。VDS?= 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有說明。#BLC10G19XS-551AVZ；#Ampleon；#射..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型封裝高電子遷移率待機電流
    面議
    ：MGF4964BL-01： 1、設(shè)計用于K波段放大器； 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設(shè)計用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz 時的高相關(guān)增益..
    09月18日
  • Ampleon代理商億勝盈科晶體管待機電流
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應(yīng)而設(shè)計，提供數(shù)字預(yù)失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保護 8.有關(guān)RoHS合規(guī)性 #BLC10G19XS-551AVZBLC10G19XS-551AVZ?..
    09月18日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率射頻功率放大器待機電流
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.專為低內(nèi)存效應(yīng)而設(shè)計，提供數(shù)字預(yù)失真能力 6.內(nèi)部匹配，便于使用BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保護 8.有關(guān)RoHS合規(guī)性 #BLC10G19XS-551AVZVDS?= 30v;IDq= 370..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝低噪聲系數(shù)待機電流
    面議
    ：MGF4964BL-01： 1、設(shè)計用于K波段放大器； 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設(shè)計用于K波段放大器。。。使用合適的增益控制和反饋技術(shù)。增益控制可..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝高增益待機電流
    面議
    ：MGF4964BL-01： 1、設(shè)計用于K波段放大器； 2、微X型塑料封裝。低噪聲放大器的主要功能是將信號放大，同時盡可能地減小噪聲。由于接收機需要接收遠距離或弱信號，因此放大器的噪聲功率對整個..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝c至K波段待機電流
    面議
    MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數(shù)。=0.65 分貝(典型值)。。。低噪聲 主要用于無線通信系統(tǒng)（如無線電、移動通信、衛(wèi)星通信等），其中接收機需要將微弱的無線信號放大到足夠的..
    09月18日
  • BLC10G19XS-551AVZ功率射頻功放待機電流
    0.80元
    BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的輸出電容，提高了Doherty應(yīng)用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： BLC10G19XS-551AVZ基站和多載波應(yīng)用的射頻功率放大器于頻率從1930 MHz到2000 MH..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝低噪聲放大器待機電流
    面議
    ：MGF4964BL-01： 1、設(shè)計用于K波段放大器； 2、微X型塑料封裝。MGF4964BL-01質(zhì)量等級：GG MGF4964BL-01偏置條件： VDS=2V，內(nèi)徑=10mAMGF4964BL-01包裝信息 磁帶和卷軸 4000 個/卷軸 通過無..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝晶體管待機電流
    面議
    MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數(shù)。=0.65 分貝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz 時的高相關(guān)增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪聲放大器芯片（Low Noise Amp..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝K波段放大器待機電流
    面議
    MGF4964BL-01超低噪聲 InGaAs HEMT(高電子遷移率晶體管)設(shè)計用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz 時的高相關(guān)增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01質(zhì)量等級：GG MG..
    09月18日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封裝高電子遷移率待機電流
    面議
    MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 時的低噪聲系數(shù)。=0.65 分貝(典型值)。。。低噪聲放大器芯片（Low Noise Amplifier，簡稱LNA）是一種用于放大微弱信號的集成電路芯片。低噪聲 主要用于無線..
    09月18日
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