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CCTV1晚7點半中央臺廣告多少錢？ CCTV1晚7點半中央臺廣告多少錢？ 馬上咨詢北京中視百納國際廣告有限公司,連續(xù)16年央視廣告代理公司。新聞聯(lián)播到天氣預(yù)報之間的廣告費用太高了，需02月25日 -
87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。銀燒結(jié)是一種經(jīng)過驗證的芯片粘..09月17日
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89000.00元目前，銀燒結(jié)技術(shù)成為國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體封裝技術(shù)中應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)，美國、日本等碳化硅模塊生產(chǎn)企業(yè)均采用此技術(shù)。在銀燒結(jié)技術(shù)中，為了防止氧化和提高氧化層的可靠性，需要在基板裸銅表..09月17日
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89000.00元燒結(jié)銀可以解決現(xiàn)有存在的五個難題 總所周知，不論是碳化硅模塊還是硅IGBT，電力電子發(fā)展總體目標(biāo)是提高功率（電流，電壓）——降低半導(dǎo)體控制和開關(guān)時損耗——擴(kuò)展工作溫度的范圍——提高使用壽命..09月17日
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水泥鐵路公里標(biāo) 半公里標(biāo) 高鐵兩側(cè)提示標(biāo)樁批發(fā)也曾走很遠(yuǎn)路，去郊外去看野菊花，深一腳淺一腳，只為能與花兒相約，拍下幾張相片作為留念。還有大暑節(jié)氣之后，與哪些清寂孤的菊花在寂寞中一一..09月17日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。SHAREX善仁新材是燒結(jié)銀產(chǎn)品和..09月17日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導(dǎo)熱性差，..09月17日
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傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月17日
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87000.00元燒結(jié)銀技術(shù)的優(yōu)勢與特點 1.什么是燒結(jié)銀技術(shù) 20世紀(jì)80年代末期，Scheuermann等研究了一種低溫?zé)Y(jié)技術(shù)，即通過銀燒結(jié)銀顆粒AS9385實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件與基板的互連方法。SHAREX善仁新材是燒結(jié)..09月17日
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銀燒結(jié)是一種經(jīng)過驗證的芯片粘接技術(shù)，可確保無空隙和高強(qiáng)度鍵合，并具有高導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性。 這種有壓燒結(jié)銀AS9385技術(shù)良品率高，十分可靠。SHAREX善仁新材是燒結(jié)銀產(chǎn)品和服務(wù)的市場領(lǐng)導(dǎo)者。..09月17日
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87000.00元隨著新一代IGBT芯片及功率密度的進(jìn)一步提高，對功率電子模塊及其封裝工藝要求也越來越高，特別是芯片與基板的互連技術(shù)很大程度上決定了功率模塊的壽命和可靠性。傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導(dǎo)熱性差，..09月17日
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87000.00元SHAREX善仁新材是燒結(jié)銀產(chǎn)品和服務(wù)的市場領(lǐng)導(dǎo)者。我們針對許多客戶的不同應(yīng)用提供了各種燒結(jié)銀解決方案，可以提供無壓燒結(jié)銀，有壓燒結(jié)銀，銀玻璃燒結(jié)銀，納米燒結(jié)銀等，配合了100多家燒結(jié)銀..09月17日
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87000.00元傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月17日
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傳統(tǒng)釬焊料熔點低、導(dǎo)熱性差，難以滿足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒..09月17日
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87000.00元相對于焊料合金，銀燒結(jié)技術(shù)可以更有效的提高大功率硅基IGBT模塊的工作環(huán)境溫度及使用壽命。目前，AS9385銀燒結(jié)技術(shù)已受到高溫功率電子領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，它特別適合作為高溫SiC器件等寬禁帶半..09月17日
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