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碳化硅晶錠生產(chǎn)廠家6英寸碳化硅晶體工廠

更新時(shí)間：2024-06-05 信息編號(hào)：4633akom8f9925
碳化硅晶錠生產(chǎn)廠家6英寸碳化硅晶體工廠
￥2≥ 1毫米

  • 2.00 元

  • HMT

  • 襯底

  • 碳化硅晶棒廠家,碳化硅晶體工廠,碳化硅晶錠廠家

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碳化硅晶錠生產(chǎn)廠家6英寸碳化硅晶體工廠

產(chǎn)品別名
碳化硅晶錠,碳化硅晶棒
面向地區(qū)
品牌
HMT
用途
襯底
功率
10w
型號(hào)
SMD
碳化硅晶錠生產(chǎn)廠家 6英寸碳化硅晶體工廠
蘇州恒邁瑞公司生產(chǎn)供應(yīng)6英寸碳化硅晶錠，測(cè)試級(jí)碳化硅晶體用于多線切割設(shè)備測(cè)試或切磨拋碳化硅襯底片。我司碳化硅晶錠類型分為導(dǎo)電型及半絕緣型。
SiC碳化硅材料開(kāi)關(guān)損耗極低，全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗大大低于同等IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗，而且開(kāi)關(guān)頻率越高，與IGBT模塊之間的損耗差越大，這就意味著對(duì)于IGBT模塊不擅長(zhǎng)的高速開(kāi)關(guān)工作，全SiC功率模塊不僅可以大幅降低損耗還可以實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān)。
SiC碳化硅材料具備更低的通態(tài)電阻，阻值相同的情況下可以縮小芯片的面積，SiC功率模塊的尺寸可達(dá)到僅為Si的1/10左右。SiC的禁帶寬度3.23ev，相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度，承受的溫度相對(duì)Si更高；SiC材料擁有3.7W/cm/K的熱導(dǎo)率，而硅材料的熱導(dǎo)率僅有1.5W/cm/K，更高的熱導(dǎo)率可以帶來(lái)功率密度的顯著提升，同時(shí)散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單，或者直接采用自然冷卻。

蘇州恒邁瑞材料科技有限公司 7年

  • 氮化鎵外延片生產(chǎn)商,碳化硅晶棒廠家,柔性電路板廠家,COF基板生產(chǎn)商
  • 江蘇蘇州蘇蠡路

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